Меню

Память для видеокарт hynix



Новости про Hynix и видеопамять

SK Hynix начинает массовое производство памяти HBM2E со скоростью 460 ГБ/с

В прошлом году компания SK Hynix представила высокоскоростную версию памяти HBM2, которую она назвала HBM2E. Эта память объёмом 16 ГБ предложила скорости 460 ГБ/с на стек. И теперь эта память производится массово.

Память HBM2E от SK Hynix

Память HBM2E невероятно быстрая. Она позволяет производителям создать уникальное быстрое оборудование. Поскольку память такого типа не нашла себе места на потребительском рынке, она прекрасно себя чувствует в сегменте коммерческих ускорителей расчётов и модулях ИИ.

SK Hynix представила самую быструю память HBM2E

Компания SK Hynix представила самый быстрый продукт в мире в сегменте HBM. Новые стеки широкополосной памяти способны пропускать данные со скоростью 460 ГБ/с.

Микросхемы памяти SK Hynix HBM2E

Также эта память вдвое быстрее той, что применяется в AMD RX Vega 56, что делает достижение SK Hynix ещё более впечатляющим. Другой пример. Общая пропускная способность памяти HBM в AMD Radeon VII составляет 1024 ГБ/с. Если бы новое решение HBM2E установили в эту видеокарту, то она имела бы общую скорость на уровне 1840 ГБ/с, что на 80% быстрее.

В компании SK Hynix сообщают, что планируют предложить новую память уже в 2020 году. Именно этот год в фирме считают лучшим для развития данного рынка в сфере видеоускорителей, чипов ИИ и ускорителей машинного обучения.

SK Hynix представила спецификации HBM2 и GDDR6

Десять дней назад производитель памяти, компания SK Hynix, представила первые микросхемы памяти GDDR6, и вот теперь компания опубликовала спецификации этих микросхем.

Также компания анонсировала доступность памяти HBM2. Вероятно, поэтому AMD до сих пор не могла выпустить видеокарты Vega. Если же AMD воспользуется памятью HBM2 от SK Hynix, то скорость работы памяти составит 410 ГБ/с при комплектации двумя стеками.

High-Bandwidth-Memory 2
Плотность Пропускная способность Скорость Доступность
4 ГБ 256 ГБ/с 2,0 Гб/с Q3 2016
4 ГБ 204 ГБ/с 1,6 Гб/с Q3 2016
4 ГБ 256 ГБ/с 2,0 Гб/с Будет уточнёно
4 ГБ 204,8 ГБ/с 1,6 Гб/с Q1 2017
4 ГБ 204,8 ГБ/с 1,6 Гб/с Q2 2017

Что касается GDDR6, то эта память будет готова в последней четверти года. Данную память намного легче интегрировать в видеоплаты, поэтому она обладает большим, чем HBM2, потенциалом. Чипы GDDR6 объёмом 8 Гб будут представлены в двух вариантах. Быстрая версия предложить скорость в 14 Гб/с, а медленная — 12 Гб/с. Это означает, что пропускная способность памяти достигнет 672 ГБ/с при ширине шины 384 бита и 448 ГБ/с при шине 256 бит. Для сравнения, в видеоплате GeForce GTX 1080 (Ti) память работает со скоростью 11 Гб/с.

SK Hynix представила первый чип GDDR6

Тем временем, пока идут дискуссии об эффективности стековой памяти HBM по сравнению с традиционными решениями, компания SK Hynix уже представила первый образец и спецификации новых микросхем памяти GDDR6.

Несмотря на то, что HBM2 и может обеспечить более высокую пропускную способность, она весьма дорога в производстве. К примеру, NVIDIA решила использовать в картах верхнего ценового диапазона память GDDR5X, на смену которой уже в следующем году придёт GDDR6.

Память нового типа будет иметь объём в 16 Гб (2 ГБ) на микросхему. Таким образом, восемь микросхем памяти обеспечат набор в 16 ГБ VRAM.

Читайте также:  Последняя модель видеокарты nvidia 2017

Современная память GDDR5 обеспечивает пропускную способность на уровне 8 Гб/с, новая топовая память GDDR5X обеспечивает скорость в 11—12 Гб/с, в то время как GDDR6 предложит 16 Гб/с (при 16 ГГц эффективной частоты).

Если рассмотреть для примера GeForce GTX 1070, то память GDDR6 позволит удвоить пропускную способность памяти, увеличив её с 256 ГБ/с до 512 ГБ/с. Кроме того, память GDDR6 более энергоэффективна, чем HBM, однако ей предстоит серьёзная конкуренция со стороны HBM, которую предпочла AMD для своих будущих продуктов Vega, а также NVIDIA для своих топовых решений.

SK Hynix рассказала о памяти GDDR6

Похоже, что Micron станет не единственным производителем памяти GDDR6. Компания SK Hynix анонсировала свои планы по реализации 8 гигабитных модулей памяти GDDR6. Компания предложит чипы с пропускной способностью 16 Гб/с, что станет самым быстрым решением в мире.

В ходе анонса фирма сообщила, что модули будут предназначены для «грядущих графических карт хай-энд класса». Учитывая, что AMD Vega будет работать с памятью HBM2, то память GDDR6 предполагается к использованию в платах NVIDIA Volta. Компания отметила, что собирается наладить массовое производство чипов GDDR6 как раз к моменту выпуска новых видеокарт — в начале 2018 года.

В настоящее время JEDEC по-прежнему не завершила стандарт GDDR6, однако по предварительным данным эта память получит вдвое большую скорость, чем GDDR5, при 10% снижении энергопотреблении. Учитывая обещанную скорость в 768 ГБ/с, память GDDR6 от SK Hynix окажется быстрее как GDDR5, так и GDDR5X.

SK Hynix готовит 4 ГБ чипы HBM2 для Vega

Компания SK Hynix, основной производитель широкополосной памяти для компании AMD, впервые появившейся на видеоплатах Radeon R9 Fury, представила новую спецификацию HBM2, которая предполагает выпуск 4 гигабайтных (32 Гб) стеков HBM2 в первом квартале 2017 года.

Этот документ открывает путь для массового производства и доступности на рынке видеоускорителей AMD с кодовым именем Vega, которые получат по два 4 ГБ стека HBM2, что в сумме предложит 8 ГБ видеопамяти.

Стек памяти с названием H5VR32ESM4H-H1K будет интегрирован в многочиповый модуль (MCM) AMD Vega10. Он работает на скорости 1,60 Гб/с (на каждый пин) с общей пропускной способностью 204,8 ГБ/с на чип. Обладая парой таких чипов видеокарта Vega10 сможет работать с памятью на скорости 409,6 ГБ/с, при условии, что AMD будет использовать базовые частоты для этой памяти.

SK Hynix начнёт поставки HBM2 в третьем квартале

Компания SK Hynix представила каталог своей продукции, согласно которому компания будет выпускать память HBM2 с третьего квартала 2016 года.

Фирма будет поставлять стеки объёмом 4 ГБ в микросхемах высотой 4 уровня. Эти чипы позволят выпускать видеокарты с шиной памяти шириной до 4096 бита и объёмом видеопамяти до 16 ГБ.

Для сравнения, первое поколение памяти HBM имело объём стека 1 ГБ, что означало 4 ГБ на видеокарту в четырёх стеках.

Несмотря на то, что SK Hynix является первым производителем памяти HBM для AMD Radeon R9 Fury X, компания не смогла быстро подготовить второе поколение памяти. В то же время Samsung уже начала производство HBM2.

Сообщается, что память HBM2 от SK Hynix будет доступна в двух вариантах с разными скоростями, которые составят 2,0 Гб/с и 1,6 Гб/с.

Готовность к выпуску памяти нового типа может означать готовность AMD к выпуску видеокарт Vega, которые будут использовать стековую память второго поколения, и которые появятся в продаже в начале следующего года.

Читайте также:  Две видеокарты на одном компьютере для чего нужен

NVIDIA будет использовать HBM от двух компаний

Промышленные источники отмечают, что компании Samsung Electronics и SK Hynix готовятся начать массовое производство памяти второго поколения High Bandwidth Memory (HBM), которое будет предназначаться для новой линейки GPU NVIDIA под именем Pascal.

Ожидается, что фаза массового производства начнётся в первом квартале 2016 года, однако пилотное производство и тесты надёжности будут завершены до конца этого года. Второй в мире производитель памяти, SK Hynix, уже поставляла первое поколение широкополосной памяти для AMD и NVIDIA, однако во втором поколении к этой гонке решила подключиться и Samsung.

К сожалению, Micron пока не будет поставлять память для видеокарт. Несмотря на то, что её технология HMC (Hybrid Memory Cubes) очень похожа на HBM, компания пока не может обеспечить достаточное качество продукции.

Кроме того, NVIDIA получит и более плотные чипы, что без сомнения позволит увеличить объем видеопамяти в картах до 16—32 ГБ при шине 4096 бит. В результате будущие видеоигры без проблем смогут работать в разрешениях 4K или даже 8K. Также память HBM обладает высокой энергоэффективностью. При увеличении скорости передачи данных в 4—8 раз, по сравнению с традиционной DDR , широкополосная память потребляет на 40% меньше энергии.

SK Hynix начала поставки 8 ГГц стековой памяти GDDR5

Ведущий производитель видеопамяти, компания SK Hynix, начала поставки памяти GDDR5 с высокой пропускной способностью (HBM) с возможностью упаковки в 3D стеки, что означает возможность включения большего числа ячеек памяти на интегральной схеме.

По некоторым данным, эти чипы будут использованы в видеоускорителях AMD Radeon R9 390X.

Как известно, лучшие графические платы AMD, например, Radeon R9 290X, имеют память частотой 5—6 ГГц, в то время как NVIDIA наслаждается несколько большей частотой в 7 ГГц. Новые микросхемы Hynix позволят AMD поднять частоту до 8 ГГц в чипах объёмам 4 Гб, которые мы сможем увидеть в некоторых топовых графических решениях компании следующего поколения.

С учётом того, что по слухам, новая карта Radeon R9 390X будет иметь шину шириной 4096 бит, эти поставки памяти могут означать относительно скорое появление нового поколения графики не только от AMD, но и от NVIDIA.

Современное топовое решение AMD имеет шину памяти в 512 бит, однако новая стековая память окажется несравнимо быстрее, особенно с учётом партнёрского договора между Hynix и AMD.

Источник

Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000

Страница 1: Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000

После появления процессоров Ryzen 3000 на рынке прошло несколько недель, и они стали весьма популярными среди наших читателей. Производители памяти анонсировали специальные планки для новых процессоров Ryzen и материнских плат X570. Впрочем, никто не мешает использовать данные модули памяти и с материнскими платами B450 и X470, разве что там могут потребоваться настройки вручную.

Данный обзор был подготовлен нашим форумчанином Reous.

Несмотря на внешние отличия, подобные планки памяти чаще всего оснащаются чипами DRAM, которые показали хорошую совместимость с платформами AMD. Как правило, это 8-Гбит чипы от Samsung, SK Hynix и Micron. Мы получили возможность протестировать несколько комплектов G.Skill и Crucial.

Читайте также:  Игровые ноутбуки с видеокартой nvidia gtx 1060

Ниже приведен краткий обзор трех наиболее распространенных чипов на рынке:

Samsung 8 Гбит B-Die:

Данные чипы типа K4A8G085WB изготавливаются по 20-нм техпроцессу. Ранее они показали дружественность к разгону, тактовые частоты почти линейно масштабируются с напряжением и задержками. По сравнению с приведенными ниже чипами, здесь получается достичь меньших задержек, что положительно сказывается на производительности. К сожалению, производство чипов B-Die прекращено, поэтому в ближайшие месяцы они уйдут с рынка. В соответствующей ветке форума перечислены планки памяти на чипах B-Die.

SK Hynix 8 Гбит C-Die:

Чипы типа H5AN8G8NCJR на 8 Гбит производятся по 18-нм техпроцессу, они относятся к третьему поколению после MFR и AFR. Потенциал разгона высокий, но по сравнению с Samsung B-Die придется принести в жертву задержки, такие как tRCDRD, tRP или tRFC. Данные чипы, как правило, встречаются на планках с заявленным режимом до DDR4-3600. Здесь мы тоже дадим ссылку на ветку форума, где можно подробнее ознакомиться с планками на чипах SK Hynix.

Micron 8 Гбит E-Die:

Чаще всего на рынке можно встретить планки памяти на 8 Гбит чипах MT40A1G8SA-075:E (D9VPP), которые производятся по 19-нм техпроцессу. В начале года они вызывали сенсацию, поскольку показали рекордные значения разгона. Из-за хороших возможностей разгона и низкой цены данные планки рекомендуются к покупке. Но и здесь по сравнению с чипами Samsung B-Die придется принести в жертву некоторые тайминги, такие как tRCDRD или tRFC. Дополнительная информация приведена в ветке форума.

Тестовая конфигурация

CPU AMD Ryzen 7 3700X (на фиксированной частоте 4,1 ГГц)
Материнская плата ASUS ROG Strix B450-I Gaming
BIOS 2703 ABB
ASUS ROG Strix X570-E Gaming
BIOS 1005 ABB
HDD ADATA XPG SX6000 Lite 128GB M.2
Samsung SSD 850 EVO 250GB
ОС Windows 10 (Build 1903)
Видеокарта XFX Radeon R9 270X Black Edition
Оперативная память G.Skill Trident Z DDR4-3600 CL15-15-15
Samsung 8Gbit B-Die, Single Rank
F4-3600C15D-16GTZ
G.Skill Trident Z DDR4-4000 CL19-19-19
Samsung 8Gbit B-Die, Dual Rank
F4-4000C19D-32GTZKK
Crucial Ballistix Elite DDR4-4000 CL18-19-19
Micron 8Gbit E-Die, Single Rank
BLE2K8G4D40BEEAK
Crucial Ballistix Sport DDR4-3000 CL15-16-16
Micron 8Gbit E-Die, Dual Rank
BLS2K16G4D30AESB
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-19-19
Hynix 8Gbit C-Die, Single Rank
F4-3600C16D-16GTZNC
G.Skill SniperX Camouflage DDR4-3600 CL19-20-20
Hynix 8Gbit C-Die, Dual Rank
F4-3600C19D-32GSXKB

Все тесты проводились на фиксированной частоте CPU 4,10 ГГц при напряжении 1,325 В. Такой шаг был сделан, чтобы тактовые частоты не менялись в зависимости от температуры CPU, что может негативно сказаться на результате. Для тактовых частот до DDR4-3733 включительно использовалась материнская плата ROG Strix X570-E Gaming, более высокие тактовые частоты от DDR4-4200 были получены на материнской плате ROG Strix B450-I Gaming. В качестве BIOS использовались версии с патчем ComboPi 1.0.0.3 ABB. Мы тестировали одноранговые планки 2x 8 Гбайт и двуранговые 2x 16 Гбайт на чипах памяти Samsung, SK Hynix и Micron.

Мы проводили разные тесты в режимах DDR4-3200, DDR4-3600, DDR4-3733, а также DDR4-4200+ при возможности. Все комплекты за исключением однорангового Micron не смогли дать тактовые частоты выше DDR4-4200, либо чипы памяти не позволяли такие высокие частоты, либо BIOS не оптимизирована. Мы выставляли максимальное напряжение VDIMM 1,50 В для оптимизации задержек. Все тайминги приведены в следующей таблице.

Источник